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SUB70N03-09P中文资料

  • 大小：73.29KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：70 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263-3
  • 下降时间：12 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：93 W
  • 上升时间：7 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 商标名：TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间：35 ns

SUB70N03-09P供应商

更新时间:2023-01-14 14:03:22
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